耐ESD(静電気対策)と放熱について


 

本件はLANTRONIX社の英語サイトのTechnical FAQ ID:1148の意訳です。(06/04/10時点)

本件は現在はXPort Integration GuideのP12にございます。

  http://www.lantronix.com/pdf/XPort_IG.pdf

 

(1) 耐ESD(静電気放電への対策)について
 

XPortの金属外装は「シャーシ・グラウンド」であり、「シグナルグラウンド」と別になっています。
印加されたESDはXPortの金属外装に流れます。
LANTRONIX社は、シグナルグラウンドと3.3Vの両方について、シャーシ・グラウンドとの間に耐圧200Vまでの低ESRコンデンサ(0.01uF程度 注)を接続するのを勧めています。
低ESRコンデンサとはESR(等価直列抵抗)が小さいコンデンサという意味で、セラミックコンデンサや、フィルムコンデンサは低ESRに分類されます。
これによりXPort金属外装への電圧スパイクはシグナルグラウンドと3.3Vの両方に等しく伝わりXPort内部は保護されます。
XPortをESDから保護するため「シャーシ・グラウンド」と「シグナルグラウンド」を直接接続されない事をお勧めします。

お客様の製品が金属筐体、または導電塗装が内側にしてあるプラスチック筐体である場合、XPortのRJ45モジュラー接続部周りの少し飛び出ている金属板は製品の筐体に接触させる事をお願いします。

 

(2) 放熱について
  XPortの金属外装はまたXPortの発熱に対する放熱の役割もします。
XPortの金属外装を2.5cm平方以上の面積の銅に付けて、XPortの周辺温度が動作限界温度に達しないための安全確保を推奨します。
(例えばシールド・タブを基板上2.5cm平方以上の面積の銅パターンにハンダ付けするなど)
この放熱の面積は多ければ多いほど有利です。
High PerformanceモードでXPortを使用するならば、動作温度上限が85℃から75℃に下がります。
その一方で発熱量が増え、放熱手段がより重要となります。
最終更新:
2021-01-13 16:00
改訂:
1.5
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